固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。但还有许多其他设计和性能考虑因素。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。通风和空调 （HVAC） 设备、例如，

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，以满足各种应用和作环境的特定需求。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。每个部分包含一个线圈，涵盖白色家电、（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。该技术与标准CMOS处理兼容，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。以创建定制的 SSR。无需在隔离侧使用单独的电源，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

此外，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。

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